3D-nanosiru yhdistää prosessoinnin ja muistin

Stanfordin yliopiston ja Massachusetts Institute of Technology MIT:n tutkijoiden kehittämä prototyyppipiiri on radikaali muutos nykypäivän siruihin verrattuna. 3D-siru yhdistelee nanoteknologioita ja uutta tietokonearkkitehtuuria.

Piipohjaisen tekniikan sijaan käytetään hiilinanoputkia ja resistiivisen hakumuistin (RRAM) soluja. Ne ovat haihtumatonta muistia, joka toimii muuttamalla kiinteän dielektrisen materiaalin resistanssia. Amerikkalaistutkijat integroivat miljoona RRAM-solua ja kaksi miljoonaa hiilinanoputkista kanavatransistoria.

RRAM:it ja hiilinanoputket on rakennettu pystysuunnassa toistensa yli, jolloin syntyy tiivis kolmiulotteinen tietokonearkkitehtuuri lomittavine kerroksine logiikkaa ja muistia.

Lisäämällä ultratiheät johdot näiden kerrosten välille, tämä 3D-arkkitehtuuri lupailee ohittavansa kyseisen viestinnän pullonkaulan. Avain tässä työssä on, että hiilinanoputkipiirit ja RRAM-muisti voidaan valmistaa paljon alemmissa lämpötiloissa kuin piitekniikka, eli alle 200°C:ssä.

”Tämä demo anturien, muistin ja logiikan 3D-integraatiosta on poikkeuksellisen innovatiivista kehitystä, joka hyödyntää nykyistä CMOS-teknologiaa sekä uusien hiilinanoputkisten kanavatransistorien ominaisuuksia”, kertoo Sam Fuller, Analog Devicesin CTO emeritus, joka ei ollut itse mukana tutkimuksessa. ”Tällä on potentiaalia toimia alustana useille vallankumouksellisille sovelluksille tulevaisuudessa.”

LISÄÄ: Nanobitteja.fi (LINKKI) ja MIT:n tiedote (LINKKI)

Kuvituskuva: MIT

Uusimmat teknologiauutiset kätevästi uutiskirjeessä – kerran viikossa (LINKKI).

LUE – UUTTA  – LUE – UUTTA – LUE – UUTTA

Uusi ammattilehti huipputekniikan kehittäjille – Lue ilmaiseksi!