Mooren lain jatkaminen piitekniikalla on koko ajan vaikeampaa, mutta nyt näyttäisi syntyneen uusia mahdollisuuksia transistorien mittojen kutistamiseksi. Yhdysvaltalaistutkijat ovat kehittäneen uudenlaisen tavan tuottaa vain muutaman atomin paksuisia transistoreita kemiallisesti.

Yhdysvaltain energiaministeriön Berkeley Labin tutkijat ovat kehittäneet tavan tuottaa elektroniikan toiminnallisia rakenteita asteikolla, joka on tarpeeksi suuri harkittavaksi reaalimaailman sovelluksiin ja kaupalliseen skaalaukseen.

Kehitetyt transistorit koostuvat johtavalle grafeenille etsatuista kanavista sekä ne täyttävästä puolijohtavasta molybdeenidisulfidista (MoS2).

Siinä kohdassa, jossa nämä kaksi atomista arkkia limittyvät, muodostuu liitoksia, jotka mahdollistavat grafeenin tehokkaasti injektoida virtaa MoS2:een.

Transistorirakenteen sovellettavuutta testattiin kokoamalla siitä invertterin logiikkapiiri.

”Toteutuksessa voitiin käyttää osittain nykyisiä puolijohteiden valmistusmenetelmiä ja muihin kasvatusjärjestelmiin, on mahdollista, että tulevaisuudessa tietotekniikka voidaan tehdä täysin atomisesti ohuista kiteistä”, toteavat tutkijat.

LISÄÄ: Nanobitteja.fi (LINKKI), tiedote (LINKKI) ja tutkijoiden kirjoitus Natural Nanotechnology -tiedelehdessä (LINKKI).

Aloituskuva: Shutterstock

LUE – UUTTA  – LUE – UUTTA – LUE – UUTTA

Uusi ammattilehti huipputekniikan kehittäjille – Lue ilmaiseksi verkossa!

http://issuu.com/uusiteknologia.fi/docs/1_2016?e=19307983/35580639