IBM ja Samsung esittelivät San Franciscon meneillään olevassa sirutekniikan IEDM21-konferenssissa uuden transistorirakenteen. Uudessa VTFET-rakenteessa (Vertical Transport Field Effect Transistors) transistorit pinotaan päällekkäin sirun pinnalle ja virta niiden välillä liikkuu pystysuorasti.

Uutta rakennetta hyödyntävissä transistoreissa on useita etuja. VTFET-rakenne antaa mahdollisuuden lisätä eksponentiaalisen määrän transistoreita sirun pinnalle sekä aiemmat tiheys- ja energiatehokkuusrajoitukset voidaan unohtaa.

VTFET-rakenne mahdollistaa sellaisten sirujen rakentamisen, joiden energian kulutus on jopa 85 prosenttia vähemmän kuin nykyisten FinFET-rakenteeseen perustuvien sirujen.

Energian kulutuksen huomattava väheneminen voisi tarkoittaa merkittäviä parannuksia suorituskykyyn esimerkiksi kännyköissä tai erilaisissa it-puolen laskentatehtävissä.

Lisää: IEDM 11.-15.12.2021 (LINKKI), IBM:n tutkimusosan taustatietopaketti (LINKKI), video VTFER-rakenteesta (LINKKI) sekä IBM:n ja Samsungin julkistustiedote (LINKKI).  Niiden lisäksi monet muutkin kongressiin osallistuvat yritykset tekivät teknologiajulkistuksiaan. Esimerkiksi Intel kertoi keinoista joilla venyttää Mooren lakia  seuraavalle vuosikymmenelle (LINKKI).

Kuva: TFET (Vertical-Transport Nanosheet Field Effect Transistor)-kiekko. Kuvaaja Connie Zhou/IBM.