Helsingin yliopisto ja hollantilainen ASM International laajentavat yhteistyötään ja perustavat Helsinkiin atomikerroskasvatuksen (Atomic Layer Deposition Center of Excellence – ALD CoE) huippuyksikön. Viisivuotinen sopimus vahvistaa jo vuonna 2004 alkanutta alueen yhteistyötä.

ASM International N.V. on johtava puolijohdealan prosessointilaitteita valmistava yritys, jonka Suomen yksikkö ASM Microchemistry Oy on toiminut atomikerroskasvatuksen (ALD, Atomic Layer Deposition) parissa perustamisestaan lähtien vuodesta 1987. Suomen toiminta  on vuodesta 2004 alkaen sijainnut yliopiston kemian osaston Chemicum-rakennuksessa.

ALD-CoE –sopimus laajentaa merkittävästi. ASM hakee yrityksen toimitujohtaja Benjamin Lohin mukaan uusia läpimurtoja ALD:ssä mahdollistamaan tulevaisuuden puolijohdeteknologioita.

Vuonna 1990 aloittanut HelsinkiALD-ryhmä on yksi tunnetuimmista ALD-kemian tutkimusryhmistä. Se on keskittynyt atomikerroskasvatukseen ja muihin atomitason menetelmiin ja ohutkalvomateriaaleihin, joita tarvitaan tulevaisuuden mikroelektroniikan valmistukseen.

’’Tutkimuskysymykset, joiden parissa työskentelemme ovat hyvin perustavaa laatua, mutta silti tuloksemme voivat päätyä miltei välittömästi tulevaisuuden puolijohdekomponenttien valmistukseen’’, toteavat professori Mikko Ritala ja apulaisprofessori Matti Putkonen, yliopiston HelsinkiALD-ryhmän vetäjät.

Yliopiston ALD-tutkimuksella on myös merkittävä koulutuksellinen ulottuvuus. Ryhmän mukaan sopimus enemmän kuin kaksinkertaistaa ASM:n rahoituksen yliopistolle. Osa rahoituksesta kohdistuu fysiikan osaston kiihdytinlaboratorioon. Lisäksi ASM laajentaa myös Kumpulan kampuksella sijaitsevaa omaa tutkimusyksikköään.

Taustaa: ALD on kehittynyt prosessointimenetelmä ohutkalvojen kontrolloituun valmistamiseen integroituihin piireihin ja muihin ratkaisuihin. Tekniikan kehittänyt TkT Tuomo Suntola sai Millennium-palkinto vuonna 2018. Hänen tutkimukseen perustuvat myös suomalaisen Picosunin ALD-laitteistot.

Kuvituskuva: ALD-mallisto, ASM International NV

Päivitetty