Toshiba on esitellyt markkinoiden ensimmäiset sulautettujen 3.0 standardin flash-pohjaisen UFS-muistiratkaisut. Ensimmäisen 128 gigatavun BGA-moduulin lisäksi pian ovat tulossa myös 256 ja 512 gigatavun versiot.
Samsung on esitellyt kolmannen sukupolven flash-levyasemat. Aiempaan nopeampien 970 PRO ja EVO-flash-asemien avulla koneisiin saadaan lisää suorituskykyä muistinkäsittelyyn ja muihin raskaisiin sovelluksiin.
Samsung Electronics on laajentanut SATA-liitettävien SSD-muistiyksiköiden mallistoaan kahdella uudella mallilla. Niissä hyödynnetään yrityksen 64-kerroksista V-NAND-tekniikkaa ja uutta MJX SSD-ohjainta. Muisteja on 2,5 tuuman lisäksi mSATA- ja M.2-liitännöin.
Japanilainen Renesas kehittää FinFET-transistoreilla isoja flash-muisteja mikro-ohjaimiinsa. Uutta tekniikkaa esiteltiin joulukuun alussa järjestetyssä piiritekniikan IEDM17—kongressissa. Käytännön piiriratkaisuja odotetaan vasta useiden vuosien päästä.
