ROHM Semiconductor on laajentanut teholähdepiiriensä tarjontaansa uudella BD83070GWL -DC/DC-muuntimella. Uutuuteen on integroitu ohjauslogiikan lisäksi tehoa ohjaava MOSFET. Piiri on pakattu 1,2 mm x 1,6 mm kokoiseen WLCSP-koteloon.
Nykyiset kaupalliset galliumnitridi-tehopiirit eivät pysty käsittelemään yli 600 voltin jännitteitä, mikä rajoittaa niiden käyttöä. Nyt uusimmissa kokeiluissa on päästy 1200 volttiin, jonka kautta galliumnitridi-piirejä voitaisiin käyttää sähköautoissakin.
