Piikarbidipohjaisia mosfettejä latauslaitteisiin

Amerikkalainen OnSemi haluaa vauhdittaa piikarbidipiireillään autoteollisuuden sähköistymistä. Yrityksen suunnitelma on tuoda piirimarkkinoille nopeutetulla tahdilla useita uusia piikarbidikomponentteja vuoteen 2030 mennessä. Uusin on EliteSIC M3e Mosfet -piiri.

Uusia tehopiirejä datakeskuksiin

Puolijohdepiirien valmistaja Onsemi on esitellyt kaksi uutta tehonohjauspiiriään, joiden avulla voidaan parantaa tekoälyä pyörittävien datakeskusten energiatehokkuutta. Onsemin uudenlaiset Mosfet- ja PowerTrench-piirit tarjoavat  entistä paremman hyötysuhteen ja lämpötehokkuuden.

Uusi tehopiiri tulevaisuuden sähköautoihin

Nykyiset kaupalliset galliumnitridi-tehopiirit eivät pysty käsittelemään yli 600 voltin jännitteitä, mikä rajoittaa niiden käyttöä. Nyt uusimmissa kokeiluissa on päästy 1200 volttiin, jonka kautta galliumnitridi-piirejä voitaisiin käyttää sähköautoissakin.