Joustavilla grafeenitransistoreilla terahertsien taajuuksiin

 Göteborgilaisen Chalmersin tutkijat ovat kehittäneet joustavan ilmaisimen terahertsien taajuuksille muovialustalla olevien grafeenisten transistoreiden avulla. Keksintö voi laajentaa terahertsitekniikan käyttöä sovelluksiin, jotka edellyttävät joustavaa elektroniikkaa, kuten langattomat anturiverkot ja puettavat tekniikat.

Chalmersin tutkijoiden kehittämä ilmaisin havaitsee huonelämpötilassa signaalit taajuusalueella 330 – 500 gigahertsiä. Se on läpikuultava ja joustava ja se sopii erilaisiin sovelluksiin kuten kuvantamiseen (THz-kamera), mutta myös antureiksi erilaisten aineiden tunnistamiseen.

Kuva: Chalmers University of Technology / Boid

Ilmaisin perustuu antennikytkettyyn grafeeniseen kenttävaikutustransistoriin (GFET). THz-teho vastaanotetaan rusettimaisella antennilla, joka tuottaa epäsymmetrisen kytkentätilanteen transistorin lähteen ja nielun välille. Chalmersin tutkijat ovat kehittäneet joustavan ilmaisimen terahertsien taajuuksille muovialustalla olevien grafeenisten transistoreiden avulla.

Neljän tuuman 175 um:n paksuinen PET-substraatti katettiin yksikerroksisella grafeenilla CVD-tekniikalla. Grafeenikanavat ja hilaelektrodit muokattiin elektronisädelitografialla (EBL) ja erilaisilla lisäaine ja hapetusprosesseilla.

Lisää: Nanobitteja.fi (LINKKI), tiedoteuutinen (LINKKI) ja tutkijoiden artikkeli tiedelehti Applied Physics Lettersissä (LINKKI) ja video

Kuva: Video-esityksestä (LINKKI, Youtube) Chalmers University of Technology

Uusimmat teknologiauutiset kätevästi uutiskirjeessä – kerran viikossa (LINKKI).

LUE – UUTTA – LUE – UUTTA – LUE – UUTTA

Uusi ammattilehti huipputekniikan kehittäjille – Lue ilmaiseksi!