Spin-TFET-transistorin resistanssi muuttuu sähkökentän avulla

Yhdysvaltalaisen Cornellin yliopiston tutkijat ovat nyt onnistuneet valmistamaan uudenlaisen spin-tunneli-kenttävaikutustransistorin (TFET), joka rakentuu kaksiulotteisesta van der Waalsin materiaalista. Komponentin resistanssia voidaan muuttaa sähkökentän avulla.

Tulevaisuuden langaton stetoskooppi kiinnostaa

Yhdysvaltalaisessa Cornellin yliopistossa on kehitetty uudenlainen RFOD-menetelmä verenpaineen, sydämen lyöntitiheyden ja hengitysnopeuden mittaamiseen. Tutkijat visioivat tulevaisuutta, jossa vaatteet voisivat seurata terveyttä reaaliaikaisesti. Myös suomalaisissa yliopistoissa langatonta mittaamista tutkitaan aktiivisesti.