Galliumia tulevaisuuden nanoelektroniikkaan

Teksasilaisen Rice-yliopiston ja bangalorelaisen Intian tiedeinstituutin tutkijat, ovat löytäneet uuden menetelmän tehdä atomisesti tasaista galliumia tulevaisuuden nanoelektroniikkaan.

Rice-yliopiston materiaalitieteilijä Pulickel Ajayanin ja Intian kollegat loivat kaksiulotteisen galleneenin, ohutkalvoista johtavaa materiaalia, joka on galliumia, kuten grafeeni on hiiltä.

Uudella kaksiulotteisella materiaalilla näyttää olevan taipumus sitoutua puolijohteiden, kuten piin kanssa ja tehdä tehokkaan metallikontaktin kaksiulotteisissa elektronisissa laitteissa.

Galliumi on metalli, jolla on alhainen sulamispiste; toisin kuin grafeenilla ja monilla muilla 2D-rakenteilla, joten sitä ei voida vielä kasvattaa höyryfaasikerrostusmenetelmillä. Lisäksi galliumilla on taipumus hapettua nopeasti.

”Kaksiulotteisuutta läheneviä metalleja on vaikea erotella, koska ne ovat enimmäkseen lujia, ei-kerrostuneita rakenteita, joten galleneeni on poikkeus, joka voisi kattaa metallien tarpeen 2-D-maailmassa”, toteavat tutkijat Ricen tiedottees

LISÄÄ: Nanobitteja.fi (LINKKI) ja tiedote (LINKKI) j tutkijoiden artikkeli Science Advances -tiedelehti (LINKKI)

Kuva: Ajayan Research Group / Rice Univercity