Fujitsu on kehittänyt tutkimuslaitoksensa kansssa uuden tehokkaamman galliumnitridi (GaN) (high electron mobility transistors HEMT) -transistorien kiderakenteen. Tekniikan avulla voidaan  kasvattaa sekä virtaa että jännitett,  mikä kolminkertaistaa transistorin antotehon.

Fujitsu ja yrityksen tutkimuslaboratorio ovat kehittäneet uudenlaisen kiderakenteen, joka kestää korkeampaa käyttöjännitettä hajauttamalla jännitettä estokerroksella ja siten estää kidevahingot.

Suuri jännite- ja virtakestoisuus saavutettiin sijoittamalla korkearesistanssinen AlGaN-välikekerros elektronin syöttökerroksen ja elektronikanavakerroksen väliin. Täten jännite voi hajaantua sekä elektronin syöttökerrokseen että AlGaN-välikekerrokseen.

Jännitekeskittymää lieventämällä kiteen elektronien kineettisen energian lisäys tukahdutetaan ja sähköisen syöttökerroksen vaurioituminen voidaan estää, mikä johtaa parempaan käyttöjännitteeseen, joka voi olla jopa 100 volttia.

Tekniikka on mahdollistanut Fujitsun saavuttaa maailman korkeimman tehotiheyden porttileveyden millimetrille 19,9 wattia GaN HEMT:lle. GaN-transistoreiden lähtöteho kolminkertaistuu.

GaN HEMT -transistoreita käytetään laajalti suurtaajuuksisina tehovahvistimina pitkän matkan radioaaltojen sovelluksissa, kuten tutkissa ja langattomassa viestinnässä.

Odotetaan myös, että niitä käytetään säätutkiin tarkkailemaan tarkasti paikallisia rankkasateita sekä millimetrien aaltokaistalla viidennen sukupolven matkaviestinnässä (5G).

Lisää: Nanobitteja.fi (LINKKI) ja Fujitsu Laboratoriesin uutisartikkeli  (LINKKI)

Kuva: Fujitsun hiljattain kehittämä GaN HEMT -transistorirakenne ja lähtötehon vertailu tavanomaista tekniikkaa vastaan.

Uusimmat teknologiauutiset kätevästi uutiskirjeessä – kerran viikossa. (LINKKI)

LUE – UUTTA  – LUE – UUTTA – LUE – UUTTA

Uusi ammattilehti huipputekniikan kehittäjille – Lue ilmaiseksi!

https://issuu.com/uusiteknologia.fi/docs/1_2018/