Ensimmäinen CMOS-QD-kamerakenno grafeenista

Barcelonalainen Institute of Photonic Sciences (ICFO) kehittää ensimmäistä grafeeniin ja kvanttipisteisiin perustuvaa CMOS-kameraa. Uudenlainen kamerakenno kykenee kuvaamaan samanaikaisesti sekä näkyvää että infrapunavaloa.

Barcelonalaisen Institute of Photonic Sciences  ICFO:n tutkijat ovat toteuttaneet ensimmäistä kertaa integroidun CMOS piirin monoliittisen integroinnin grafeenin kanssa. Tuloksena on korkean resoluution kuva-anturi, jossa on satoja tuhansia valoilmaisimia, jotka perustuvat grafeeniin ja kvanttipisteisiin (QD).

Uudenlaiset valoilmaisimet toimivat kuin digitaalikamerassa, joka on erittäin herkkä ultravioletille, näkyvälle ja infrapunavalolle samanaikaisesti (300–2,000 nm). Tätä ei ole koskaan ennen koettu nykyisissä kuvausantureissa.

Grafeeni-QD kuvakenno valmistettiin PbS kolloidisista kvanttipisteistä, kerrostamalla ne CVD-grafeenin päälle ja sijoittamalla tämä hybridi järjestelmä CMOS-kiekkoon, kuva-anturisirun ja luentapiirin kanssa.

Yleisesti tämä osoitus monoliittisesta grafeenin integroinnista CMOSin kanssa mahdollistaa monipuoliset optoelektroniset sovellukset, kuten pienen tehonkäytön optisen dataliikenteen sekä kompaktit ja erittäin herkät anturijärjestelmät.

Tutkimustyö on osa European Graphene Flagship –tutkimushanketta.

LISÄÄ: Nanobitteja.fi (LINKKI) ja tutkijoiden tiedote (LINKKI) ja tiedeartikkeli Nature Photonics -lehdessä (LINKKI)

Kuva: ICFO/D. Bartolome

Uusimmat teknologiauutiset kätevästi uutiskirjeessä – kerran viikossa (LINKKI).

LUE – UUTTA  – LUE – UUTTA – LUE – UUTTA

Uusi ammattilehti huipputekniikan kehittäjille – Lue ilmaiseksi!