Vaihtoehto flash-muisteille – kestää pitempään ja kuluttaa vähemmän

Singaporen kansallisen yliopiston (NUS) vetämä tutkijaryhmä on tuottanut orgaanista ohutkalvoa, joka voisi olla nykyisten flash-muistien korvaaja. Uusi rakenne tarjoaa miljoona kertaa enemmän luku-kirjoitusjaksoja ja kuluttaa tuhat kertaa vähemmän virtaa kuin kaupalliset flash-muistit.

Vuosien ajan on etsitty muistitekniikoita, joilla on parempi energiatehokkuus ja kestävyys sekä alhaisemmat kustannukset kuin kaupallisilla flash-muisteilla. Nyt tutkijoiden mukaan on kehitetty orgaaninen rakenne, joka on teollisesti kilpailukykyinen, mutta samalla on kehittynyt selkeä kuvan sen molekyylimekanismista.

Teollisuus on perinteisesti pidättäytynyt käyttämästä orgaanisia järjestelmiä muisteissa johtuen niiden suorituskyvyn tekniikan rajoituksista. Uusi orgaaninen kalvo voi tallentaa ja käsitellä tietoja biljoonaa sykliä ja sillä on potentiaalia olla alle 25 neliönanometrin kokoinen.

Kehitetty liuosprosessoitava resistiivisen muistiratkaisu perustuu siirtymämetallikompleksin spin-pinnoitettuun aktiiviseen kerrokseen. Se osoittaa suurta toistettavuutta, nopeaa kytkentää sekä erinomaista kestävyyttä, stabiilisuutta ja skaalautuvuutta.

Tutkimusryhmä aikoo kumppaniksi kulutuselektroniikkayrityksen kanssa kaupallistaakseen uutta teknologiaa. Lisäksi tutkijat tarkastelevat myös monitilaisten muistien kehittämistä neuromorfisiksi muistiksi eli memristoria tekoälyn (AI) sovelluksiin, joka on yksi nopeimmin kasvavista teknologia-aloista nykyään.

LISÄÄ: Nanobitteja.fi (LINKKI) ja tutkijoiden tiedote (LINKKI) ja artikkeli tiedelehti Nature Materials 23.10.2017 (LINKKI)

Kuva: Uudenlaisen muistirakenteen tutkijaryhmä. Oikealla tutkimusta vetävän Singaporen nanotieteiden insituutin NUS:n professori T Venky Venkatesan.

Uusimmat teknologiauutiset kätevästi uutiskirjeessä – kerran viikossa (LINKKI).

LUE – UUTTA – LUE – UUTTA – LUE – UUTTA

Uusi ammattilehti huipputekniikan kehittäjille – Lue ilmaiseksi!