Samsungilta nopeampi SSD-muistiyksikkö

Samsungin tuo tarjolle aiempaa nopeammat ja kestävämmät SATA-liitettävät 870 EVO SSD-muistiyksiköt. Uutuudet perustuvat yrityksen uusimpiin V-NAND-tyypin flash-muistipiireihin. Versioita on tarjolla 250 gigatavusta neljään teratavuun.

UltraRAM tuo haihtumattoman yleismuistin

Brittiläisen Lancasterin yliopiston fyysikot ovat kertoneet uudenlaisen tietokoneiden ja kännyköiden muistiratkaisusta. Uudenlainen Ultra-RAM voisi muuttaa tulevaisuuden tietokoneiden, älypuhelimien ja muiden laitteiden toimintaa.

Valmis verkko-osoite flash-muistipiiristä

Useimmissa IoT-tuotteissa tarvitaan verkkoyhteyksiin yksilöllinen Media Access Control (MAC) -osoite, joka ohjelmoidaan laitteen valmistuksen yhteydessä. Nyt osoite voidaan hankkia myös valmiina flash-muistipiirinä.

Useamman teratavun SSD-levyt sopuhintaan

Kiintolevyille on käymässä kehnosti myös suuremmissa tallennustiheyksissä. Samsung julkisti tänään uuden 860 QVO -SSD-aseman, josta on saatavana kuluttajamyyntiin jo neljän teratavun versio. Sitäkin halvempia ovat vielä sarjan yhden ja kahden teran SSD-versiot.

Uuden suorituskyvyn flash-asema

Samsungin lupaa viedä ulkoiset tallennusratkaisut uudelle suorituskyvylle pian julkistettavalla SSD X5 -asemallaan. Uutuus perustuu nopeisiin NVME-flash-muisteihin ja Thunderbolt 3 -liitäntään. Tarjolla on asemia puolesta terasta kahteen ja niissä on erikoisrakenteinen jäähdytys ja kestärakenne.

Uuden sukupolven flash-asemat

Samsung on esitellyt kolmannen sukupolven flash-levyasemat. Aiempaan nopeampien 970 PRO ja EVO-flash-asemien avulla koneisiin saadaan lisää suorituskykyä muistinkäsittelyyn ja muihin raskaisiin sovelluksiin.

SSD-muisteja monessa koossa ja paketissa

Samsung Electronics on laajentanut SATA-liitettävien SSD-muistiyksiköiden mallistoaan kahdella uudella mallilla. Niissä hyödynnetään yrityksen 64-kerroksista V-NAND-tekniikkaa ja uutta MJX SSD-ohjainta. Muisteja on 2,5 tuuman lisäksi mSATA- ja M.2-liitännöin.

IEDM2017: Jättimuistit mikro-ohjaimiin

Japanilainen Renesas kehittää FinFET-transistoreilla isoja flash-muisteja mikro-ohjaimiinsa. Uutta tekniikkaa esiteltiin joulukuun alussa järjestetyssä piiritekniikan IEDM17—kongressissa. Käytännön piiriratkaisuja odotetaan vasta useiden vuosien päästä.