Valmis verkko-osoite flash-muistipiiristä

Useimmissa IoT-tuotteissa tarvitaan verkkoyhteyksiin yksilöllinen Media Access Control (MAC) -osoite, joka ohjelmoidaan laitteen valmistuksen yhteydessä. Nyt osoite voidaan hankkia myös valmiina flash-muistipiirinä.

Useamman teratavun SSD-levyt sopuhintaan

Kiintolevyille on käymässä kehnosti myös suuremmissa tallennustiheyksissä. Samsung julkisti tänään uuden 860 QVO -SSD-aseman, josta on saatavana kuluttajamyyntiin jo neljän teratavun versio. Sitäkin halvempia ovat vielä sarjan yhden ja kahden teran SSD-versiot.

Uuden suorituskyvyn flash-asema

Samsungin lupaa viedä ulkoiset tallennusratkaisut uudelle suorituskyvylle pian julkistettavalla SSD X5 -asemallaan. Uutuus perustuu nopeisiin NVME-flash-muisteihin ja Thunderbolt 3 -liitäntään. Tarjolla on asemia puolesta terasta kahteen ja niissä on erikoisrakenteinen jäähdytys ja kestärakenne.

Uuden sukupolven flash-asemat

Samsung on esitellyt kolmannen sukupolven flash-levyasemat. Aiempaan nopeampien 970 PRO ja EVO-flash-asemien avulla koneisiin saadaan lisää suorituskykyä muistinkäsittelyyn ja muihin raskaisiin sovelluksiin.

SSD-muisteja monessa koossa ja paketissa

Samsung Electronics on laajentanut SATA-liitettävien SSD-muistiyksiköiden mallistoaan kahdella uudella mallilla. Niissä hyödynnetään yrityksen 64-kerroksista V-NAND-tekniikkaa ja uutta MJX SSD-ohjainta. Muisteja on 2,5 tuuman lisäksi mSATA- ja M.2-liitännöin.

IEDM2017: Jättimuistit mikro-ohjaimiin

Japanilainen Renesas kehittää FinFET-transistoreilla isoja flash-muisteja mikro-ohjaimiinsa. Uutta tekniikkaa esiteltiin joulukuun alussa järjestetyssä piiritekniikan IEDM17—kongressissa. Käytännön piiriratkaisuja odotetaan vasta useiden vuosien päästä.

Virtapihi flash-muistipiiri sulautettuihin

Microchip on tuonut tarjolle nopean 64 megabitin flash-muistipiirin, jossa yhdistyy Dual Transfer Rate DTR -liitäntä ja SuperFlash NOR Flash-muistitekniikka. Nopeatoiminen muisti toimii 1.8 voltin (1,65-1,9 volttia) käyttöjännitteellä.

Microchipin flash-piiri SST26WF064C on suunniteltu lukunopeudeltaan niin nopeaksi, että siinä olevaan ohjelmakoodia voidaan ajaa suoraan Execute-in-Place (XIP) -tekniikalla. Nopeaan muistin käsittelyyn SST26WF064C-piiri käyttää 4-bittistä multipleksoitua I/ O-sarjaliitäntää tehostaakseen suorituskykyä.

Piirin Dual Transfer Rate (DTR)- signalointi antaa mahdollisuuden saada tietoja muistin lukua ohjaavan kellon sekä nousevalla että laskevalla reunalla. Se vähentää datan kokonaisaikaa ja virrankulutusta. SST26WF064C tukee myös perinteistä Serial Peripheral Interface (SPI) -protokollaa.

Kaksi teratavua kestolevyä minikoossa

Perinteiset mekaaniset kiintolevyt poistuvat kun SSD-levyjen kapasiteetit kasvavat teratavuihin ja hinnat laskevat. Samsung esitteli Las Vegasin CES2016-messuilla SSD-levyn T3, jonka kapasiteetti on kaksi teratavua ja tehty kestämään pudotuksen parista metristä.