Brittiläisen Exeterin yliopiston asiantuntijat ovat kehittäneet uudenlaisia muisteja, joissa käytetään grafeenin ja titaanioksidin hybridiä. Näillä rakenteilla voidaan tuoda halvempi ja joustavampi ratkaisu nykyisille flash-muisteille.

Exeterin yliopiston tutkijoiden resistiiviset muistiratkaisut ovat edullisia ja ympäristöystävällisiä valmistaa ja sopivat käytettäviksi joustavissa elektronissa laitteissa.

Professori David Wright Exeterin yliopistosta toteaa: ”Grafeenioksidin käyttöä muistirakenteissa on raportoitu aikaisemminkin, mutta ne ovat yleensä olleet kookkaita, hitaita ja tarkoitettu edullisimpaan osaan elektroniikkalaitteiden markkinoita.”

”Meidän hybridi grafeenin oksidi-titaanioksidin muisti sitä vastoin tarjoaa vain 50 nanometriä pitkän ja 8 nanometriä paksun rakenteen ja se voidaan kirjoittaa ja lukea vähemmässä kuin viidessä nanosekunnissa.”

Nyt kehitetty rakenne mahdollistaa helposti myös monitasoisen (4 tasoa, 2-bitti per solu) tallennuskapasiteetin. Lisäksi rakenne tarjoaa erinomaisen kestävyyden ja pysyvyyden sekä jäykillä että joustavilla substraateilla.

LISÄÄ : Nanobitteja.fi (LINKKI), tutkijoiden uutistiedote (LINKKI) ja artikkeli ACS Nano -tiedelehdessä (LINKKI).

Uusimmat teknologiauutiset kätevästi uutiskirjeessä – kerran viikossa (LINKKI).

LUE – UUTTA  – LUE – UUTTA – LUE – UUTTA

Uusi ammattilehti huipputekniikan kehittäjille – Lue ilmaiseksi!

https://issuu.com/uusiteknologia.fi/docs/2_2016