Tutkimusjulkaisun johtava kirjoittaja Andrew McRae, selittää tutkimusta. ”Tutkimuksemme valaisee ongelmia, joita insinöörit kohtaavat rakennettaessa molekylaarista nanoelektroniikkaa ja miten he pystyvät voittamaan ne hyödyntäen elektronien kvanttiominaisuutta.”

”Olemme osoittaneet kokeellisesti, että voimme hallita sitä, voivatko positiiviset ja negatiiviset hiukkaset käyttäytyä eri tavalla hyvin lyhytkanavaisten hiilinanoputkien transistorissa. Erityisesti olemme osoittaneet, että noin 500 atomia pitkillä rakenteilla positiiviset varaukset ovat rajoittuneempia ja toimivat enemmän hiukkasten tapaan, kun taas negatiiviset varaukset ovat vähemmän rajoitettuja ja toimivat enemmän kuin aallot”, McRae kertoo.

Nämä tulokset viittaavat uusiin teknisiin mahdollisuuksiin. ”Tämä tarkoittaa sitä, että voimme hyödyntää elektronien kvanttiominaisuuksia informaation tallentamiseen”, McRae toteaa.

Maksimoimalla eroa, siinä miten positiiviset ja negatiiviset varaukset käyttäytyvät, voisi johtaa uuden sukupolven kvanttielektroniikan laitteisiin, hän selittää. Löydöllä voi olla sovelluksia kvantti-laskennassa, säteilyantureissa ja transistorielektroniikassa. Tämä vuorostaan voi johtaa älykkäämpään ja tehokkaampaan kulutuselektroniikkaan.

LISÄÄ: Nanobitteja.fi (LINKKI) ja Giant electron-hole transport asymmetry in ultra-short quantum transistors -tutkimusraportti on luettavissa Nature Communication –lehdestä (LINKKI).

Uusimmat teknologiauutiset kätevästi uutiskirjeessä – kerran viikossa (LINKKI).

LUE – UUTTA – LUE – UUTTA – LUE – UUTTA

Uusi ammattilehti huipputekniikan kehittäjille – Lue ilmaiseksi!

https://issuu.com/uusiteknologia.fi/docs/2_2017